|平昌半导体和CISSOID共建大功率密度和高温应用中心

CISSOIDS是一家领先的供应商,提供基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的高温、长寿命、高效、小型驱动电路和智能电源模块解决方案。A.(CISSOID)和第三代电力半导体技术领域的先进芯片设计、零部件开发、模块今天联合发布:双方结成战略伙伴关系,共同实施碳化硅等第三代电力半导体应用的研发项目,将碳化硅电力装置的优异性能应用于航空航天、数字能源、新能源汽车、智能电网、铁路运输、5G通信、节能和提供优质的大功率密度和高温应用系统解决方案。

第三代宽波段禁带半导体(如碳化硅)越来越成熟,大规模商用,几乎在所有电力电子领域都以效率等卓越性能逐步全面更换硅基电源组件。进入电动汽车、轨道交通、船舶、太阳能、风能、电网、储能等应用领域。用硅基电源设备取代硅基IGBT的最初好处是减少体积,提高效率。更重要的发展将充分发挥硅硅的性能优势,实现原体硅IGBT难以或根本无法实现的应用,为系统应用设计师提供新的扩展空间。

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图1法国技术市长/市场趋势调查公司YOLE的电力装置接合温度预测

这种电力电子应用超越传统硅IGBT能力的重要性体现在两个主要方面。首先,在大功率密度应用中,由于电力设备本身的热量引起的温度上升,设备的耐热性选择和热量管理系统设计显得尤为重要。其次,由于应用环境和成本的影响,许多高温环境应用一般没有水冷条件,因此进一步考验零部件本身的室温能力和高温工作寿命。因此,高温半导体技术对第三代宽禁带半导体技术的广泛应用至关重要。

重庆平昌半导体研究院有限责任公司(Chongqing Ping Chuang Institute of Semiconductors CO,ltd .以下简称平板半导体)致力于开发新的电力半导体技术,特别是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体技术。

CISSOID来自比利时,是高温半导体解决方案的领导者,该解决方案为极端温度和恶劣环境下的电源管理、电源转换和信号调节提供标准产品和定制解决方案。此次两家公司的合作将有助于发挥双方的优势,为中国的电力电子应用领域提供先进的高功率密度和高温产品及解决方案。

“大功率密度和高温应用一直是电力电子行业的主要课题和重要发展方向之一.”,平昌半导体总经理陈贤平博士说:“碳化硅电力装置在大功率密度和高温应用时,必须配备与高温等级相似的驱动器芯片和电路,CISSOID的高温‘绝缘硅(Silicon On Insulator,SOI)’部件就可以起到这种作用。”SiC电源设备固有的耐高温性和高温SOI集成电路是充分发挥SiC电源设备性能的理想组合。很荣幸与CISSOID进行深度合作,开发出先进的高功率密度和高温产品及解决方案。” ”

“非常荣幸能与平创半导体公司进行深入合作。他们拥有非常强大的电力设计能力和完善的电力模块开发和生产系统给我们留下了深刻印象。”CISSOID首席技术官Pierre Delette先生说:“我们正努力与扁平半导体密切合作开发新的封装设计,将碳化硅功率与高温SOI驱动电路更紧密地结合在一起,最大限度地减少寄生电感,从而最大限度地提高碳化硅的性能,使整个方案更加精密,便于高密度小型安装,为各个电力电子领域提供高温和温度。”

根据Yole Development的市长/市场调查报告(图1),硅基电力半导体器件诞生后,应用需求推动了冷凝上升,目前达到150。随着SiC等第三代宽波段禁带半导体器件的出现,逐渐成熟、全面商业化,独特的耐高温性将加快,从目前的150提高到175,今后将提高到200。

通过SiC独特的耐高温特性和低开关损耗优势,这种温升趋势将极大地改变电力系统的设计模式,有力地推动高功率密度和高温应用的发展。这些典型的、新兴起的高温、大功率密度应用正在广泛进入我们的生活,包括深度电动汽车动力总成、多电和全电飞机、电动飞机、移动能源充电站、充电宝、其他各种严重限制液体冷却的电力电子应用。

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