_【未来可测量】系列之二存储器电阻器单元基础研究及性能研究测试方案

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Memristor英文名标有Memristor,标有符号M,由电阻R、电容C、电感L和四个基本无源电路部件组成,这是连接磁通和电荷之间关系的纽带,同时具有电阻和存储性能,是新一代高速存储装置,通常称为电阻存储器(RRAM)

内存电阻器的主要应用领域包括非易失性存储器(Nonvolatile memory)、逻辑计算(Logic computing)和头脑神经元计算(brain-inspired neuromorphic computing)。

随着存储器电阻器研究取得新的成果,基于存储器电阻器的多功能耦合器也成为研究人员关注的焦点。这些新型耦合装置包括磁耦合装置、光耦合装置、超导耦合装置、相变存储器电阻装置、铁电耦合装置等。

(一)记忆电阻基础的研究和测试

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记忆电阻器研究可分为基础研究、性能研究和集成研究三个阶段,这种研究方法既适用于电阻存储器(RRAM),也适用于相变存储器(PCM)和铁电存储器(FeRAM)。在存储器电阻器基础研究阶段,主要通过存储器电阻器材料体系和物理机制、存储器电阻器参数表征、体闭线对存储器电阻器进行分类。电阻器基础研究测试包括直流特性、交流特性和脉冲特性测试。

内存电阻DC特性测试通常与Forming相结合,主要测试内存电阻DC V-I曲线,估计SET/RESET电压/电流、HRS、LRS等内存电阻重要参数,可以进行单向扫描或双向扫描。内存电阻器交流特性主要进行滑差测试,滑差是确认内存电阻器类型的关键。电阻器脉冲测试可以有效地减少直流测试中累积的焦耳热的影响,同时也可以用于研究热量对装置性能的影响。由于电阻器表征技术正在向极端化发展,对皮初级脉冲擦洗及信号捕获的需求日益增加。

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泰克记忆电阻器基础研究测试方案

性价比测试方案

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极端表象测试方案。

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Tektron计划功能:

满足不同客户需求的不同配置方案

泰克中国满足客户定制测试要求的当地研发amp拥有d队。

tektronic合作伙伴提供所有硬件系统集成

多个主要内存电阻器R & ampd单位正在采用tex测试方案。

(二)存储器电阻性能的研究与测试

MEMLISTER性能研究测试过程如下:

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非易失性内存性能研究是通过测试内存电阻器的周期数或耐久性(Endurance)和数据保留时间(Data Retention)来进行的。在周期数和耐久性测试中,电阻测试通常由具有脉冲功能的半导体参数测试器进行。由于测试的样品数量多,需要很长时间,因此需要编程进行自动测试。对于极端表征,SET/RESET脉冲由高速随机波发生器产生。

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如果记忆电阻器用于神经元研究,其性能测试除了写入次数和数据保存时间外,还需要突触抵抗动力学测试。突触可塑性是大脑记忆和学习的神经生物学基础,有多种形式。根据内存的长度,可以分为短时间可塑性(STP)和长时间可塑性(LTP)。其中短时间可塑性包括双脉冲抑制(PPD)、双脉冲化(PPF)和强后立即增强(PTP)。放电速度还有可塑性(SRDP)、放电时间依赖可塑性(STDP)等突触神经信号处理,以及作为神经计算基础的其他可塑性。

电阻器的传导状态可以用来表示突触权重的变化,通过改变刺激脉冲电压的形状、频率、持续时间等参数,可以模拟对应于突触功能的神经刺激信号的特征。通过测量瞬态电流,可以了解电阻力学过程,获得神经形态特性的调节方法。与周期数和耐久性测试一样,需要通过生成具有脉冲功能的半导体参数测试仪或适合高速随机波发生器编程的脉冲序列来自动化测试。

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泰克记忆电阻性能研究及测试程序

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Tektron计划功能:

满足极端证明测试要求的各种配置方案

性价比方案可以升级到低维阵列测试程序

泰克中国满足客户定制测试要求的当地研发amp拥有d队。

多个主要内存电阻器R & ampd单位正在采用tex测试方案。

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_【未来可测量】系列之二存储器电阻器单元基础研究及性能研究测试方案